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Si1058X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
6
5
V GS = 5 V thr u 3 V
1. 8
1.5
T C = 125 °C
4
3
2
V GS = 2.5 V
V GS = 2 V
1.2
0.9
0.6
1
V GS = 1.5 V
0.3
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0
0.0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
0.24
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics Curves vs. Temp.
V GS = 2.5 V
400
C iss
0.1 8
300
0.12
200
0.06
0.00
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
0
4
8
12
16
20
5
4
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 1.3 A
V DS = 10 V
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3
2
1
0
V GS = 16 V
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 1.3 A
V GS = 2.5 V
I D = 1 A
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73894
S12-1618-Rev. E, 09-Jul-12
For technical question, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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